2022年，全球閃存市場(chǎng)面臨新一輪的變革。一方面，NAND廠商供應(yīng)能力持續(xù)增長，主要廠商的供應(yīng)能力節(jié)節(jié)攀升，但其增速已出現(xiàn)分化，隨著行業(yè)整合不斷加速，市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)格局將有較大調(diào)整。另一方面，在新基建、中國制造2025、自主可控等國家政策推動(dòng)下，中國區(qū)閃存市場(chǎng)快速增長，同時(shí)中美貿(mào)易摩擦與技術(shù)脫鉤風(fēng)險(xiǎn)加劇，建立國內(nèi)自主可控的閃存供應(yīng)鏈已極為緊迫。

在這種情勢(shì)下，憶聯(lián)（Union Memory）于近日發(fā)布三款固態(tài)硬盤新品，包括UH811a/UH831a系列ESSD，以及AM630、AM521系列CSSD，標(biāo)志著憶聯(lián)在企業(yè)級(jí)、消費(fèi)級(jí)存儲(chǔ)市場(chǎng)均取得了新的突破。面對(duì)變革期的全球閃存市場(chǎng)，憶聯(lián)依托自研控制器、固件設(shè)計(jì)、封裝測(cè)試等核心技術(shù)，持續(xù)推出高性能、低延遲、高可靠性且各具差異化競(jìng)爭(zhēng)力的固態(tài)硬盤新品，志在引領(lǐng)固態(tài)存儲(chǔ)行業(yè)新升級(jí)。

憶聯(lián)UH811a/UH831a：采用12nm自研控制器與智能多流技術(shù)，順序讀取速度高達(dá)7000/4200 MB/s，隨機(jī)讀寫速度高達(dá)1600K/300K IOPS

憶聯(lián)UH811a/UH831a系列ESSD支持PCIe Gen 4高速接口和NVMe 1.4標(biāo)準(zhǔn)協(xié)議，搭載YMTC 128L 3D eTLC閃存顆粒，順序讀取速度高達(dá)7000/4200 MB/s，隨機(jī)讀寫速度高達(dá)1600K/300K IOPS。同時(shí)，其存儲(chǔ)容量高達(dá) 7.68TB（U.2），專為高可用系統(tǒng)設(shè)計(jì)，并擁有超低延遲和高質(zhì)量服務(wù)（QoS），平均讀寫時(shí)延低至96/14 μs。

值得一提的是，憶聯(lián)UH811a/UH831a系列ESSD采用12nm自研控制器，先進(jìn)的制程工藝，性能更高而功耗、成本更低。而且，基于智能多流技術(shù)，將熱數(shù)據(jù)流與冷數(shù)據(jù)流分層存儲(chǔ)，提高ESSD的性能與使用壽命并降低成本。

憶聯(lián)AM630系列CSSD采用PCIe Gen 4高速接口，是業(yè)界首款面向ODM客戶的PCIe Gen 4 CSSD。其順序讀寫速度高達(dá)3200/2400 MB/s，隨機(jī)讀寫速度高達(dá)420K/340K IOPS，滿足個(gè)人電腦、服務(wù)器、工業(yè)級(jí)個(gè)人電腦等應(yīng)用需求。同時(shí)，其擁有M.2.2242與M.2.2280兩種規(guī)格，容量高達(dá)1TB，L1.2功耗小于3mW，空閑功耗小于50mW，工作功耗小于150mW，顯著提升設(shè)備續(xù)航時(shí)間。

憶聯(lián)AM521系列CSSD采用PCIe接口，順序讀寫速度高達(dá)2100/900 MB/s、SLC隨機(jī)讀寫速度高達(dá)156K/174K IOPS、TLC隨機(jī)讀寫速度高達(dá)90K/39K IOPS。同時(shí)，其擁有128GB、256GB兩種容量，重量最大僅3.5g，工作功耗小于4W，是各類追求高性價(jià)比應(yīng)用的絕佳選擇。

目前，憶聯(lián)UH811a/UH831a系列ESSD，以及AM630、AM521系列CSSD均已實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)。隨著這三大更具競(jìng)爭(zhēng)力的新品推出，憶聯(lián)將為服務(wù)器、數(shù)據(jù)中心、個(gè)人電腦等應(yīng)用提供更高性能、更低延遲、更高可靠性的解決方案，助力互聯(lián)網(wǎng)、信創(chuàng)行業(yè)、消費(fèi)電子客戶實(shí)現(xiàn)商業(yè)成功。