

高效固件架構(gòu),混合隨機(jī)讀寫性能突出
頁交錯(cuò)塊RAID算法,顯著提升數(shù)據(jù)可用性
行業(yè)領(lǐng)先7000+測試用例,保障高兼容性及穩(wěn)定性
CPU、OS及應(yīng)用高適配,支持差異化定制需求

智能主控算法與HMB機(jī)制結(jié)合,顯著提升性能表現(xiàn)
順序讀寫速度最高達(dá)6800/5600 MB/s
固件軟硬加速,應(yīng)用運(yùn)行更流暢

支持x86與非x86架構(gòu)雙軌技術(shù)體系
覆蓋主流CPU與OS,支持國密算法
跨平臺穩(wěn)定運(yùn)行,適配復(fù)雜應(yīng)用需求

DRAM-less設(shè)計(jì)顯著降低硬件采購成本
支持差異化需求開發(fā),提升投資回報(bào)
增強(qiáng)型SSD日志多維度監(jiān)控,大幅減少維護(hù)成本

| 型號 | AE531 | ||
| 形狀 | M.2 2242-S3-M,M.2 2280-S3-M | ||
| 容量 | 512GB | 1TB | 2TB |
| 順序讀取 | 6400 MB/s | 6800 MB/s | 6800 MB/s |
| 順序?qū)懭? | 4500 MB/s | 5600 MB/s | 5600 MB/s |
| QLC順序?qū)懭? | 115 MB/s | 160 MB/s | 260 MB/s |
| 隨機(jī)讀取IOPS (4KB) | 450K | 700K | 700K |
| 隨機(jī)寫入IOPS (4KB) | 750K | 800K | 800K |
| 尺寸 | 長42±0.15mm或80±0.15mm,寬22±0.15mm,高2.38mm(最大) | ||
| 重量 | 最大3.6 g或6.0 g | ||
| 功耗 | L1.2: < 5 mW,空閑: < 50 mW,工作: < 160 mW | ||
| 總線接口 | PCIe接口Gen4*4 | ||
| NVMe標(biāo)準(zhǔn) | NVMe 1.4 | ||
| 溫度 |
工作:0℃~70℃ 非工作:-40℃~85℃ |
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| 濕度 | 5% to 95%,無冷凝 | ||
| 平均無故障工作時(shí)間 | 200萬小時(shí) | ||
| 沖擊 |
工作:半正弦,1000G @1 ms,6面 非工作:半正弦,1500G @0.5 ms,6面 |
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| 振動 |
工作:隨機(jī)振動,5Grms,10~2000 Hz,3軸 非工作:隨機(jī)振動,7Grms,2~500 Hz,3軸 |
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| 供電電壓 | 3.3V±5% | ||
| 紋波/噪聲 | ≤100mV | ||
地址:深圳市南山區(qū)記憶科技后海中心B座19樓
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